本次推出的產(chǎn)品是由該公司通過(guò)來(lái)自配置雙極晶體管、MOS晶體管、DMOS晶體管“BiCD”加工工藝生產(chǎn)的,與采用雙向加工工藝生產(chǎn)的原產(chǎn)品相比,在600mA驅(qū)動(dòng)時(shí)其消耗電力從2.95W下降至原來(lái)的1/3。另外,由于使用了DMOS工藝,所以在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)其接通電阻較低,僅為0.5Ω,擊穿電壓較高為40V,電流較大為1.5A。封裝采用了附帶散熱片的36針HSOP(heatsink small out-line package)。